El TT400 SIS está certificado según IEC 61508 para aplicaciones SIL 1 y SIL 2 (no redundante) y SIL 3 (redundante), y está diseñado para la medición de temperatura mediante RTD o termopares.
TT400 SIS está disponible en tecnología HART®. Se puede configurar con el software Smar y otras herramientas de configuración del fabricante
Especificaciones funcionales
Entradas | La entrada universal acepta varios termopares, RTD, mV y Ohm. |
Protocolo de comunicación | Dos hilos, 4-20 mA con comunicación digital superpuesta (Protocolo HART versión 5.1/Transmisor/Modo de respuesta de sondeo/Común 4-20 mA); Protocolo HART® Versión 5, con los comandos TT400 SIS configurados; |
Display | LCD rotativo, con 4½ dígitos numéricos y 5 caracteres alfanuméricos. Iconos de función y estado. |
Suministro de energía | HART®: 12 a 55 Vcc. |
Medición | Temperatura con un sensor; Temperatura diferencial entre dos sensores; Temperatura con dos sensores considerando el más alto; Temperatura con dos sensores considerando el más bajo; Temperatura media con dos sensores; Temperatura de respaldo con dos sensores; Temperatura generada por la ecuación de Callendar Van Dusen. |
Configuración | Configuración remota con el programador externo vía protocolo HART, utilizando los recursos del DDL/EDDL; |
Salida de corriente | Resolución de corriente de salida: 15 bits; Precisión de la corriente de salida: ±0,01 % del span. |
Lectura de sensores | Precisión del convertidor A/D: ±0,02% del rango total. |
Tiempo de estabilización después del encendido - arranque en caliente | Menos de 17 segundos. |
Especificaciones de rendimiento
Efecto de la fuente de alimentación | ± 0,005 % del intervalo calibrado por voltio. |
Efecto de la temperatura ambiente | Para una variación de 10 °C: mV (-6 a 22 mV), TC (NBS: B, R, S,T): ± 0,03 % del milivoltaje de entrada o 0,002 mV, lo que sea mayor; mV (-10 a 100 mV), TC (NBS: E, J, K, N; DIN: L, U): ± 0,03 % del milivoltaje de entrada o 0,01 mV, lo que sea mayor; mV (-50 a 500 mV): ± 0,03 % del milivoltaje de entrada o 0,05 mV, el que sea mayor; Ohm (0 a 100Ω), RTD (GE: Cu10): ± 0,03% de la resistencia de entrada o 0,01Ω, lo que sea mayor; Ohm (0 a 400Ω), RTD (Edison Curve #7: Ni120; IEC: Pt50, Pt100; JIS: Pt50, Pt100): ± 0,03% de la resistencia de entrada o 0,04Ω, lo que sea mayor; Ohm (0 a 2000Ω), RTD (IEC: Pt500), RTD (IEC: Pt1000): ±0,03 % de la resistencia de entrada o 0,2Ω, lo que sea mayor; |
Tiempo de actualizacion | 230 ms |
Especificaciones físicas
Conexión eléctrica | ½ - 14 NPT, M20 X 1,5, PG 13,5 DIN |
Material de construcción | Carcasa de aluminio inyectado con bajo contenido de cobre con pintura de poliéster o acero inoxidable 316, con juntas tóricas de Buna N en la tapa (NEMA 4X, IPW 66). Placa de identificación: acero inoxidable 316. |
Pesos aproximados | Sin pantalla y soporte de montaje: 0,80 kg. Añadir para pantalla digital: 0,13 kg. Añadir para soporte de montaje: 0,60 kg. |
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